美国 AI 芯片初创企业 Etched 宣布其推理加速器芯片完成 A0 步进流片,并已构建首批机架。该公司获得超 10 亿美元订单及 8 亿美元 B 轮融资,首批产品预计 2026 年夏季出货。
Etched 指出,现有 AI 芯片在高负载下因散热问题导致实际推理吞吐量仅为理论峰值的一半。其采用台积电 N4P 工艺的新芯片通过电路、封装和算法整体优化,数学模块电压比竞品低 50%以上,能以超 80%算力效率运行 1T 规模稀疏 MoE 模型。
缓存方面,该芯片结合片上 SRAM 与片外 HBM,利用高带宽互联技术,兼顾低延迟与大容量优势,提升高负载下的交互性与吞吐量。
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