当前 AI 加速器常面临‘内存墙’瓶颈——算力等待数据传输,无法持续处理 Token。比利时研究机构 Imec 提出全球首个专为 AI 设计的 3D 电荷耦合器件(CCD)内存方案,旨在结合 DRAM 的高速度与 NAND 闪存的存储密度,提升 AI 推理性能。
该架构通过垂直堆叠内存芯片缩短数据路径,采用 IGZO 材料降低漏电并支持高密度集成,实验室电荷传输速度超 4GHz。不过目前仍处于概念验证阶段,散热与层数扩展是主要障碍,短期内难用于数据中心服务器。
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当前 AI 加速器常面临‘内存墙’瓶颈——算力等待数据传输,无法持续处理 Token。比利时研究机构 Imec 提出全球首个专为 AI 设计的 3D 电荷耦合器件(CCD)内存方案,旨在结合 DRAM 的高速度与 NAND 闪存的存储密度,提升 AI 推理性能。
该架构通过垂直堆叠内存芯片缩短数据路径,采用 IGZO 材料降低漏电并支持高密度集成,实验室电荷传输速度超 4GHz。不过目前仍处于概念验证阶段,散热与层数扩展是主要障碍,短期内难用于数据中心服务器。
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