后摩智能确认下代端边 AI 芯片采用 3D CIM 存算一体架构，同等面积算力提升 2 倍

在 2026 全球 AI 芯片峰会上，中国芯片公司后摩智能确认，其下一代大模型端边 AI 芯片将采用 3D CIM 存算一体架构，融合存算与 3D DRAM 技术。该芯片将具备端侧超实时思考与互动能力，通过垂直堆叠可在同等面积下实现 2 倍算力，并有望进一步优化功耗与散热压力。

后摩智能于 2025 年 7 月发布了后摩漫界 M50 芯片，典型功耗 10W，可提供 160TOPS（INT8）或 100TFLOPS（bFP16）算力，支持 48GB 内存容量和 153.6GB/s 内存带宽。该芯片目前已获得超 150 款产品定点，覆盖丰富应用场景。

新一代旗舰芯片的架构升级，意味着端边 AI 设备在有限面积内可获得更高算力密度，同时降低功耗与散热负担，为端侧大模型部署提供硬件基础。