三星电子宣布 HBM5/HBM5E 制程升级 目标 HBM4 市场份额超五成

三星电子存储器开发副总裁在 GTC 2026 现场透露，将对 HBM5 和 HBM5E 内存进行制程升级。其中 HBM5 的基础逻辑裸片将升级到 2nm 工艺，HBM5E 的 DRAM 裸片则采用 1d nm 工艺；而 HBM4E 的制程将与 HBM4 保持一致。

三星将 HBM4 视为 HBM 内存业务的核心，目标是占据超五成市场份额。同时，公司计划加快 HBM 开发速度，实现与英伟达同步的每年一次迭代更新。