三星新增 zNAND-T 与 zNAND-I，NAND 闪存走向 AI 定制化

随着人工智能应用对存储系统提出更高要求，传统通用型 NAND 闪存难以完全匹配不同场景的负载特点，存储厂商正加速布局面向 AI 优化的存储产品。

据韩国媒体 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发多款面向人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，在已公布的 zNAND-O 之外，新增 zNAND-T 与 zNAND-I 两款产品。

zNAND-T 的"T"代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，思路类似闪迪与 SK 海力士提出的 HBF 概念，为数据中心 AI 场景优化读写带宽；zNAND-I 的"I"代表 IOPS，侧重少量数据的频繁读写，KV Cache 卸载即属此类应用。

三款产品各有所长、覆盖不同应用负载，标志着 NAND 闪存正从通用型产品走向定制化设计。