三星 HBM4 良率接近 80%，产能爬坡加速

据韩媒报道，三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%，接近原定 2026 年底的目标，高良率加速了其产能爬坡。今年 2 月初次量产时，良率仅约 60%，未达大规模商业化水平，限制了投片量。随着良率提升，三星计划本季度 HBM4 销售额增至上季度的 3 倍以上，下半年在整体 HBM 中的营收占比将扩展至 60%以上，年底前获得与整体 DRAM 市场份额相当的 HBM 市占。