三星确认 HBM5 将采用 2nm 基础裸片，性能提升超 50%

三星电子晶圆代工业务技术开发负责人近日确认，计划在下一代高带宽内存 HBM5 中使用 2nm 工艺的基础裸片，相比 HBM4 和 HBM4E 的 4nm 基础裸片，这是显著的工艺升级。

HBM5 的运行速率预计较 HBM4E 提升 50%以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔（TSV），以满足行业对更大带宽和更高能效的需求。三星电子存储器业务开发副总裁此前也曾透露类似计划。

在 HBM4E 上，三星已通过 4nm 节点的灵活性，应用高密度、超高性能器件，实现 14+ Gbps 高速运行，并通过优化金属层排列降低功耗、改善散热。HBM5 的 2nm 基础裸片则旨在进一步在性能和能效上实现重大改进。