特斯拉公布 AI 芯片路线图：AI5 算力提升 5 倍，AI6 将采用 2nm 工艺

特斯拉 CEO 埃隆·马斯克在 AI5 芯片流片后，分享了公司自研 AI 芯片的未来计划。他提到，单颗 AI5 芯片的有效算力是双 AI4 芯片方案的 5 倍，性能提升显著。

后续的 AI6 芯片将由三星电子在美国得州泰勒市晶圆厂以 2nm 工艺制造，配备 LPDDR6 内存，在 400+mm²的类似面积下实现性能翻倍。AI6.5 芯片则由台积电美国亚利桑那州子公司以 2nm 工艺生产，进一步提升性能。两款芯片均有近半的 TRIP AI 计算加速器与 SRAM 紧密结合，可显著提高有效带宽。

值得注意的是，AI5 芯片两侧封装的内存颗粒长宽差距明显，不符合 GDDR 系列特征，很可能采用 LPDDR5X；而 AI6 升级到 LPDDR6 也在预期之中。